SamsungとBroadcom、HBM・2nm以下・先端パッケージを結ぶAI半導体MOU

Samsung ElectronicsとBroadcomは、次世代AIアクセラレーター向けHBM、2nm以下のファウンドリー、2.3D・2.5D先端パッケージを対象とする覚書を締結した。

メモリからパッケージまでを結ぶ協力

Samsung ElectronicsとBroadcomは、次世代AIインフラに向けてメモリとファウンドリーの協力を拡大する覚書(MOU)を発表しました。メモリではBroadcomの次世代AIアクセラレーター向け HBM供給、ファウンドリーでは 2nm以下のプロセス と2.3D・2.5D先端パッケージを検討します。

両社は2030年までの5年間に、メモリとファウンドリーを合わせた協力規模を 2,000億ドル超と予想 しています。ただし、これは発表上の見通しであり、確定売上高や受注残ではありません。

AIアクセラレーターでパッケージが重要な理由

大規模AIアクセラレーターはロジックダイの速度だけでは決まりません。HBMと演算部の帯域、ダイ間接続密度、電力供給、放熱がシステム全体を制限します。メモリ、先端ロジック、パッケージを共同設計すれば、性能と電力効率をシステム単位で最適化できる可能性があります。

MOUとしての限界

製品数量、顧客認証、歩留まり、価格、量産時期が確定したわけではありません。2,000億ドル超も潜在的な協力規模の推定です。実行を確認するには、供給契約、テープアウト、パッケージ検証、顧客採用、売上計上を追う必要があります。

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